반도체테스트/Device1 IGBT 구조에 따른 전기적 특징 기본 구조 IGBT, Isolated Gate Bipolar Transistor이름에서 알 수 있듯이 IGBT는 절연된 게이트로 동작을 제어하는 양극성 트랜지스터입니다.BJT와 마찬가지로 소수(minority) 캐리어와 다수(majority) 캐리어를 모두 사용하기 때문에 양극성 트랜지스터라 불립니다. IGBT의 구조는 MOSFET과 유사하고 다만 드레인(= IGBT의 Collector)쪽에 p-layer가 추가된 형태입니다.이러한 구조적 특징을 소자 symbol을 통해 표현하면 다음과 같습니다. 전기적 특징 IGBT는 MOSFET과 달리 두 종류의 캐리어를 사용하기 때문에 다음과 같은 전기적 특징을 갖습니다. 높은 내압 및 전류, 낮은 On 저항MOSFET에서 높은 내압을 구현하기 위해선 n-lay.. 2024. 6. 11. 이전 1 다음